云微电子下一代先进工艺n2工艺的相关信息。 智云微电子的ceo丁成军如此介绍道：“我们新开发的n2工艺对比n3工艺，不仅仅是在金属间隔上，也在柵极结构上进行了重大的调整！” “全新的n2工艺，將会依託我们的huve—80oc光刻机，在金属间隔上得以缩小到二十纳米的水平，这也是目前半导体行业里量產工艺里最高的水平。” “而柵极结构上，我们全面採用了第二代全柵极结构技术，不仅仅能够进一步提升电晶体密度，更大幅度的降低了功耗水平！” “更小的金属间隔、更强的第二代全柵极结构技术，使得我们的n2工艺製造出来的晶片，其电晶体密度已经达到了每平方毫米三亿六千万个！” “在同等功率下，性能对比n3工艺提升了百分之三十五，对比n3l工艺提...

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